巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结
专利名称:
巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2017114157115
第一发明人:
韩秀峰
其它发明人:
唐萍;郭晨阳;万蔡华
申请日期:
专利授权日期:
2020-03-20
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: