具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
专利名称:
具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2017111929405
第一发明人:
靳常青
其它发明人:
于爽;邓正
申请日期:
专利授权日期:
2020-06-02
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: