晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法
专利名称:
晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2016110220967
第一发明人:
张广宇
其它发明人:
余画;杨蓉;时东霞
申请日期:
专利授权日期:
2019-11-05
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: