一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
专利名称:
一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2015107085039
第一发明人:
顾长志
其它发明人:
郝婷婷;李无瑕;李俊杰
申请日期:
专利授权日期:
2019-08-23
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: